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도체 의 저항 이 어떤 요소 와 관련 이 있 는 지 탐구 하 는 실험 에서
재료, 길이, 횡단면 적
"저항 과 도체 의 어떤 요소 와 관계 가 있 는 지 탐구" 의 실험 에서 전원 전압 이 일정한 상황 에서 변 화 를 통 해 연 결 된 저항 크기 를 비교 하 는 것 이다.
전류
볼트 암페어 저항 회로 선택 (시 터치 법)
시험 접촉 법 으로 내 접 법 과 외 접 법 을 선택 할 때, 왜 전압 표시 수가 현저 한 변화 가 있 는 지 를 설명 하면 전류계 의 분 압 작용 이 비교적 강하 다 는 것 을 설명 할 수 있 습 니 다. 전 류 는 수량 에 현저 한 변화 가 있 으 므 로 전압계 의 분류 작용 이 비교적 강하 다 는 것 을 설명 할 수 있 습 니 다.
1. 먼저 전압계 의 변화 가 뚜렷 하 다 고 말한다.
한 번 은 저항 양쪽 의 전압 을 측정 하고, 다른 한 번 은 전류계 에 저항 을 가 하 는 총 전압 을 측정 한다.
전압 은 수량 변화 가 뚜렷 하 다 는 것 을 나타 내 는데, 이 는 전류계 의 양 단 전압 과 저항 양 단 전압 이 비교 가 가능 하 다 는 것 을 의미한다
즉, 전류계 내부 저항 과 측정 대기 저항기 의 저항 치 는 비교 가 가능 하 다 는 것 은, 이 는 대역 측 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 치가 전류계 내부 저항 에 가 깝 고, 즉 저항 치가 비교적 작 기 때문에 외 접 법 을 사용 해 야 한 다 는 것 을 의미한다.
2. 전류 표시 수 변화 뚜렷
한 번 은 저항 전 류 를 측정 하고, 다른 한 번 은 전압계 와 저항 을 측정 하 는 총 전류 이다.
이 는 띠 측 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 저항 수치 와 전압계 의 저항 치가 비슷 하 다 는 것 을 의미한다. 즉, 매우 크기 때문에 내 접 법 을 사용한다.
MIC 회 로 는 왜 편향 저항 을 추가 하고 어떻게 선택 합 니까?
MIC 내부 에서 주 극 체 커 패 시 터 는 음성 신 호 를 전신 신호 로 바 꾸 고 즉시 1 급 전원 FET 를 통 해 확대 수출 한다. 저항 을 가 하 는 목적 은 MIC 내부 의 FET 증폭기 에 누 극 편향 을 제공 하여 포화 구역 에서 작업 하고 신호 증폭 의 임 무 를 완성 하 는 것 이다. 따라서이 저항 은 편향 저항 이 라 고도 합 니 다. 얼마나 큰 저항 을 선택 하면 얼마나 큰 저항 을 선택 할 수 있 습 니까? 이것 은 내 장 된 FET 의 매개 변수 에 따라 결정 합 니 다. 저항 선택 이 적합 하지 않 으 면 증폭 회로 의 최대 동적 출력 범 위 를 낮 출 것 입 니 다. 저항 이 너무 크 면 FET 가 불 포화 구역 에 들 어 갈 수도 있 습 니 다. 저항 이 너무 적 으 면파 이 프 를 손상 시 킬 수 있 습 니 다. 아래 는 MIC 완제품 규정 서 에서 절단 한 성능 매개 변수 와 테스트 회로 입 니 다출력 신호 의 양음 반 주 최대 동적 범위 가 같 습 니 다. 따라서 바이어스 전압 을 전원 의 중심 점 으로 설정 하여 출력 을 극 대화 할 수 있 는 동적 범 위 를 설정 합 니 다. 현재 대부분의 휴대폰 은 MIC 에 사용 되 는 내부 FET 가 상당 하기 때문에 표상 의 외부 매개 변수 도 비슷 합 니 다. 따라서 일반적으로 회로 설계 시 편향 저항 을 2kohm 정도 로 설정 합 니 다.
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