'수 도 · 전기 저항 율 은 18.2M. 오 메 가', M. 오 메 가. cm 는 무엇 을 의미 하 는가? cm 는 무엇 을 의미 하 는가?

'수 도 · 전기 저항 율 은 18.2M. 오 메 가', M. 오 메 가. cm 는 무엇 을 의미 하 는가? cm 는 무엇 을 의미 하 는가?

M. 오 메 가 말고 M. 오 메 가 * cm.
cm 는 당연히 cm.
저항 과 도체 의 횡단면 적 은 반비례 가 되 고 길 이 는 정비례 가 된다. 따라서 저항율 의 단 위 는 저항 단위 × 면적 단위 / 길이 단위 = 저항 단위 × 길이 단위 이다.
수 도 · 전기 저항 율 은 18.2M 오 메 가 * cm 로 물의 전기 저항 율 은 18.2 메 가 오 메 가 입 니 다. 즉 가로 절단면 은 1 제곱 센티미터 이 고 길 이 는 1 센티미터 의 물 이 며 저항 은 18.2M 오 메 가 입 니 다.

전기 저항 율 지표 가 재료 의 사용 에 대해 어떤 지도 적 의의 가 있 는가?

전기 저항 율 지 표 는 재료 의 기본 적 인 특성 중의 한 지표 로 수량 에 있어 서 재료 의 전기 전도 능력 의 크기 를 반영 한다. 해당 하 는 조건 하에 서 그것 은 재료 의 도 핑 수준, 캐리어 의 이전 율 크기, 재료 의 균일 성, 단결정 또는 다 결정 등 을 나 타 낼 수 있다.
(참고 로 제공)

불순물 반도체 저 항 률 에 대한 온도 의 영향
책 에서 온도 가 N 형 반도체 저 항 률 에 미 친 영향 에 대한 묘 사 는 대체적으로 먼저 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 갔다 가 내 려 간 다 는 것 이다. 그리고 저온 구, 포화 구 로 나 뉘 는데 이 추세 에 대해 서 나 는 어떻게 설명 을 해 야 할

는 이렇게 해 야 합 니 다:
1. AB 구간 의 경우 이때 온도 가 비교적 낮 고 온도 가 불순물 에 대한 영향 이 반도체 자체 에 대한 영향 보다 크다. 이때 반도체 중의 캐리어 는 주로 불순물 에 의 해 전 리 된 것 이다. 온도 가 올 라 갈 때 캐리어 의 수량 이 올 라 가 고 전기 저항 율 이 떨어진다.
2. BC 단계 의 경우 이때 불순물 전리 가 완 성 된 것 은 포화 상태 이다. 그러나 이 징 후 는 자극 이 현저 하지 않 고 캐리어 의 영향 이 낮 아 지고 수정의 진동 의 영향 이 커지 며 전기 저항 율 은 온도 에 따라 올라간다.
3 대 C 점 이후 이 징 반도체 와 유사 하 다. 이때 이 징 후 는 자극 이 주요 한 요소 가 되 었 기 때문에 전기 저항 율 은 온도 상승 에 따라 떨어진다.

반도체 재료 의 전기 저항 율 은 외부 조건 (예 를 들 어 온도, 빛 등) 의 영향 을 많이 받 아 온도 가 높 아 지 거나 빛 의 조 사 를 받 으 면 전기 저항 율 을 높 일 수 있다.

외부 조건, 예 를 들 어 빛, 온도 등 은 재료 에 영향 을 미 칠 수 있 고 재료 가 다 르 며 전기 기계 의 이론 이 다 르 며 전기 저항 율 에 영향 을 미친다. 요약 하면 캐리어 이전 율, 농도 등에 대한 영향 이다.